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支持在CPU/GPU上堆叠HBM内存,三星SAINT-D封装技术今年商用
芯智讯 | 2024-07-08 21:55:39    阅读:137   发布文章

6月18日消息,据《韩国经济日报》报道,三星将于今年推出高带宽内存 (HBM) 的 3D 封装服务,该报道援引了三星日前在美国圣何塞举行的 2024 年三星代工论坛上的声明以及“业内消息人士”的说法,三星 3D 封装技术基本上将为2025 年底至 2026 年的HBM4集成铺平道路。

对于 3D 封装,三星此前就曾推出了一个名为 SAINT(三星先进互连技术)的平台,其中包括三种不同的 3D 堆叠技术:用于 SRAM 的 SAINT-S、用于逻辑的 SAINT-L 和用于在CPU或GPU等逻辑芯片之上堆叠 DRAM 的 SAINT-D 。

其中,三星在2022年正式宣布推出 SAINT-D 之后,已经研发了数年,预计今年将正式商用,这将是全球最大内存制造商和领先代工厂的一个重要里程碑。

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三星的新型 3D 封装方法涉及将 HBM 芯片垂直堆叠在处理器顶部,这与现有的通过硅中介层水平连接 HBM 芯片和 GPU 的2.5D 技术不同。这种垂直堆叠方法消除了对硅中介层的需要,但需要使用复杂的工艺技术制造的用于 HBM 内存的新基片。

3D 封装技术为 HBM 提供了显著的优势,包括更快的数据传输、更清晰的信号、更低的功耗和更低的延迟,但封装成本相对较高。三星计划以交钥匙服务的形式提供这种先进的 3D HBM 封装,其内存业务部门生产 HBM 芯片,代工部门为无晶圆厂公司组装实际的处理器。

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目前尚不清楚的是,三星今年计划用 SAINT-D 提供什么产品。将 HBM 放在逻辑芯片上需要适当的芯片设计,目前尚不清楚还有其他公司将 HBM 放在其他芯片顶部,并计划于 2024 年至 2025 年上半年推出。

展望未来,三星的目标是到 2027 年推出一体化异构集成技术。这项技术将实现两层逻辑芯片、HBM 内存(在中介层上)甚至共封装光学器件 (CPO) 的集成。

编辑:芯智讯-林子


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